APT65GP60L2DQ2G دیتاشیت

APT65GP60L2DQ2(G)

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت APT65GP60L2DQ2(G)
حجم فایل 453.473 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت APT65GP60L2DQ2(G)

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: Microchip Technology
  • Series: POWER MOS 7®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Not For New Designs
  • IGBT Type: PT
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 198A
  • Current - Collector Pulsed (Icm): 250A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
  • Power - Max: 833W
  • Switching Energy: 605µJ (on), 895µJ (off)
  • Input Type: Standard
  • Gate Charge: 210nC
  • Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
  • Test Condition: 400V, 65A, 5Ohm, 15V
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
  • detail: IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole

محصولات مشابه